Техническое описание
| Напряжение питания | 100-240V AC 50/60Гц |
|---|---|
| Допустимый диапазон напряжения | В пределах от 90 до 110% от номинального напряжения |
| Потребляемая мощность | Макс. 8 ВА |
| Период измерения | 50, 100, 250 мс |
| Вход термосопротивления (RTD) | DPt 100 Ом, Cu 50 Ом, Nickel 120 Ом (допустимое сопротивление линии 5 Ом) |
| Вход термопары (TC) | K(CA), J(IC), L(IC), T(CC), R(PR), S(PR) |
| Вход трансформатора тока (ТТ) | 0-50А (диапазон измерений первичного тока). ※ Коэф. трансформации: 1/1000 |
| Точность отображения данных | Резистивный термометр (RTD)/термопара: ㆍПри комнатной температуре (23℃ ±5℃): (Факт. значение ±0,3% или ±1℃; выбирается наибольшее значение) ±1 емр • За пределами диапазона комнатной температуры: (Факт. значение ±0,3% или ± 2℃; выбирается наибольшее значение) ±1 емр |
| Точность отображения данных: вход CT | ±5% шкалы ±1-разряда |
| Выход управления: реле | 250 В~, ~ 3A 1a |
| Доп. выход сигнализации | Выходы AL1, AL2: 250 В~ 3 А 1 НО-контакт |
| Option output_Trans. | пост. ток 4 — 20 мA (Сопротивление нагрузки: ≤ 500 Ом, Погрешность на выходе: ±0,3% от полной шкалы) |
| Способ отображения | 7-сегментный (красного цвета) 4-разрядный дисплей |
| Тип регулирования | ВКЛ/ВЫКЛ, П, ПИ, ПД, ПИД |
| Управляющий выход: гистерезис | Управляющий выход: от 1 до 100℃/℉ (от 0,1 до 100,0℃/℉)Выход аварийной сигнализации: от 1 до 100℃/℉ (от 0,1 до 50,0℃/℉) |
| Диапазон пропорционального регулирования (П) | от 0,1 до 999,9℃ |
| Интегральная составляющая (И) | 0-9999с |
| Дифференциальная составляющая (Д) | 0-9999с |
| Время регулирования (Т) | Релейный выход: от 0,5 до 120,0 с, выход ТТР: от 0,5 до 120,0 с |
| Диэлектрическая прочность | Между зарядной частью и корпусом: 3000 В~, 50/60 Гц в течение 1 минуты |
| Вибростойкость | Амплитуда 0,75 мм при частоте от 5 до 55 Гцпо каждой из осей X, Y, Z в течение 2 часов |
| Ресурс реле: механическая часть | Выходы OUT1/2, AL1/2: мин. 5 000 000 циклов |
| Ресурс реле: электрическая часть | Выходы OUT1/2, AL1/2: мин. 100 000 циклов (резистивная нагрузка: 250 В~, 5 А) |
| Сопротивление изоляции | 100МОм или более (при 500V DC по мегаомметру) |
| Тип изоляции | Двойная или усиленная изоляция (прочность электрической изоляции между зарядной частью и корпусом: 3 кВ) |
| Помехоустойчивость | ±2 кВ Сигнал помехи прямоугольной формы, создаваемый с помощью имитатора помех (ширина импульса: 1 мкс) R-фаза, S-фаза |
| Защита памяти | Прибл. 10 лет (энергонезависимая полупроводниковая память) |
| Температура окружающей среды | -10…+50℃, при хранении: -20…+60℃ |
| Влажность окружающей среды | Относительная влажность 35-85%, при хранении: 35-85% |
| Масса | ~194.5r (~123.5r) |
