Техническое описание
| Напряжение питания | 100-240 В перем. тока, 50/60 Гц |
|---|---|
| Потребляемая мощность | Макс. 8 ВА |
| Способ отображения | 11 сегмент |
| Период измерения | 50 / 100 / 250 мс (параметр) |
| Вход трансформатора тока (ТТ) | • 0,0–50,0 А (диапазон измерения первичного тока)• Коэффициент трансформации трансформатора тока: 1/1 |
| Выход управления: реле | 250 В~, ~ 3A 1a |
| Выход управления: токовый | Пост. ток 0 — 20 мА или пост. ток 4 — 20 мА (параметр), Сопротивление нагрузки: ≤ 500 Ом |
| Доп. выход сигнализации | 250 В~, ~ 3A 1a |
| Option output_Trans. | пост. ток 4 — 20 мA (Сопротивление нагрузки: ≤ 500 Ом, Погрешность на выходе: ±0,3% от полной шкалы) |
| Option output_Comm. | Коммуникационный интерфейс RS485 |
| Тип управления_тип | ВКЛ/ВЫКЛ, П, ПИ, ПД, ПИД |
| Тип управления_установка нескольких заданных значений | ≤ 4 SV |
| Тип управления_группа ПИД | ≤ 8 групп |
| Тип управления_зона ПИД | 4 зоны |
| Тип управления_ARW | от 50 до 200 % |
| управление программой_программа | ≤ 10 шаблонов |
| управление программой_уровень | ≤ 200 уровней (1 шаблон: ≤ 20 уровней) |
| управление программой_способ настройки | Установка времени |
| Гистерезис | • Термопары, терморезисторы: от 1 до 100 (от 0.1 до 100.0) ℃/℉• аналоговый: 1–100 разрядов |
| Диэлектрическая прочность | Между клеммами и корпусом: 3000 В~ 50/60 Гц в течение 1 мин. |
| Вибростойкость | Амплитуда 0,75 мм при частоте от 5 до 55 Гцпо каждой из осей X, Y, Z в течение 2 часов |
| Ресурс реле: механическая часть | • выходы 1/2: ≥ 5,000,000 операций• AL1/2/3/4/5/6: ≥ 20 000 000 операций |
| Ресурс реле: электрическая часть | • выходы 1/2: ≥ 200 000 операций• AL1/2/3/4/5/6: ≥ 100 000 операций |
| Сопротивление изоляции | ≥ 100 МОм (при измерении мегомметром с напряжением 500 В=) |
| Тип изоляции | Двойная изоляция или усиленная изоляция (символ: @INS, диэлектрическая прочность между измерительным входом и силовой частью: 3 кВ) |
| Помехоустойчивость | ±2 кВ Сигнал помехи прямоугольной формы, создаваемый с помощью имитатора помех (ширина импульса: 1 мкс) R-фаза, S-фаза |
| Защита памяти | Прибл. 10 лет (энергонезависимая полупроводниковая память) |
| Температура окружающей среды | от -10 до 50°С, при хранении: От -20 до 60℃ (без замерзания или конденсации) |
| Влажность окр.среды | от 35 до 85% отн. влажности |
| Степень защиты | IP65 (передняя панель, стандарт МЭК) |
| Загрузочный порт | Вид спереди |
| Комплектующие | Кронштейн |
| Масса | 184 г |
